IRF9910TRPBF-1
Número de pieza:
IRF9910TRPBF-1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.55V @ 250µA
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 12A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 900pF @ 10V, 1860pF @ 10V