IRFB4019PBFXKMA1
Número de pieza:
IRFB4019PBFXKMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH >=100V
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220AB
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.9V @ 50µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 95mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 800 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 80W (Tj)