IRFB4229PBFXKMA1
Número de pieza:
IRFB4229PBFXKMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH >=100V
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220AB
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 250 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 46A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 330W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4560 pF @ 25 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 46mOhm @ 26A, 10V