IRFHE4250DTRPBF
Número de pieza:
IRFHE4250DTRPBF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Potencia - Máx 156W
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 35µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 32-PQFN (6x6)
- Paquete / Carcasa 32-PowerWFQFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 86A, 303A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1735pF @ 13V