IRFHE4250DTRPBF
Número de pieza:
IRFHE4250DTRPBF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
International Rectifier
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Paquete / Carcasa 32-PowerVFQFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 32-PQFN (6x6)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 86A (Tc), 303A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- Potencia - Máx 156W (Tc)