IRFHM8363TRPBF
Número de pieza:
IRFHM8363TRPBF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.35V @ 25µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A
- Potencia - Máx 2.7W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1165pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (3.3x3.3), Power33