IRL40T209ATMA2
Número de pieza:
IRL40T209ATMA2
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH <= 40V
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 500W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-1
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.72mOhm @ 100A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 269 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 16000 pF @ 20 V