IRL640APWD
Número de pieza:
IRL640APWD
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, LOGIC L
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 200 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 110W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 56 nC @ 5 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9A, 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1705 pF @ 25 V