ISCH54N04NM7VATMA1
Número de pieza:
ISCH54N04NM7VATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
ISCH54N04NM7VATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 146 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V, 15V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 214W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7700 pF @ 20 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 54A (Ta), 458A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.5mOhm @ 50A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.15V @ 113µA