ISCH69N04NM7VATMA1

ISCH69N04NM7VATMA1

Número de pieza: ISCH69N04NM7VATMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: ISCH69N04NM7VATMA1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V, 15V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 106 nC @ 10 V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5600 pF @ 20 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 167W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 48A (Ta), 357A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 50A, 15V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.15V @ 82µA