ISG0614N06NM5HATMA1
Número de pieza:
ISG0614N06NM5HATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 50A, 10V
- Paquete / Carcasa 10-PowerVDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.3V @ 86µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 102nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6400pF @ 30V
- Potencia - Máx 3W (Ta), 167W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-VITFN-10-1