ISG0616N10NM5HSCATMA1
Número de pieza:
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 78nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 85µA
- Potencia - Máx 3W (Ta), 167W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4800pF @ 50V
- Paquete / Carcasa 10-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-WHITFN-10-1