ISK018NE1LM7ATSA1
Número de pieza:
ISK018NE1LM7ATSA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 7V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 15 V
- Vgs (Máx.) ±7V
- Paquete / Carcasa 6-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-VSON-6-1
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 39W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Ta), 129A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 7V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 106µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 13.6 nC @ 7 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1600 pF @ 7.5 V