ISP16DP10LMAXTSA1
Número de pieza:
ISP16DP10LMAXTSA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
ISP16DP10LMAXTSA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tipo de FET P-Channel
- Paquete / Carcasa TO-261-4, TO-261AA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT223-4-21
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2100 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1.037mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 167mOhm @ 2.2A, 10V