ISP670P06NMAXTSA1

ISP670P06NMAXTSA1

Número de pieza: ISP670P06NMAXTSA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: ISP670P06NMAXTSA1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Tipo de FET P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
  • Paquete / Carcasa TO-261-4, TO-261AA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT223-4-21
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1800 pF @ 30 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1.037mA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 67mOhm @ 3.7A, 10V