IV1Q12160D7Z

IV1Q12160D7Z

Número de pieza: IV1Q12160D7Z
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Inventchip
Descripción: SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO263
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 108W (Tc)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 1.9mA
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
  • Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs (Máx.) +20V, -5V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 195mOhm @ 10A, 20V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 43 nC @ 20 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 885 pF @ 800 V
  • Paquete / Carcasa TO-263-7