IV1Q12160T3
Número de pieza:
IV1Q12160T3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Inventchip
Descripción:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO247
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 1.9mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Disipación de Potencia (Máx.) 134W (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 195mOhm @ 10A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 43 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 895 pF @ 800 V