IV2Q06040L1
Número de pieza:
IV2Q06040L1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Inventchip
Descripción:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
Embalaje:
Strip
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 7.5mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 63.5A (Tc)
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL
- Disipación de Potencia (Máx.) 249W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 53mOhm @ 20A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 94.7 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2000 pF @ 600 V
- Paquete / Carcasa TOLL