IV2Q06060T4Z
Número de pieza:
IV2Q06060T4Z
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Inventchip
Descripción:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 60MOHM,
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Disipación de Potencia (Máx.) 174W (Tc)
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 64 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 53mOhm @ 15A, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1218 pF @ 600 V