IV2Q12160T4Z

IV2Q12160T4Z

Número de pieza: IV2Q12160T4Z
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Inventchip
Descripción: GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 136W (Tc)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Paquete / Carcasa TO-247-4
  • Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 208mOhm @ 5A, 18V
  • Vgs (Máx.) +20V, -5V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 2mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 29 nC @ 18 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 580 pF @ 800 V