IV2Q171R0T3
Número de pieza:
IV2Q171R0T3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Inventchip
Descripción:
GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.7A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 86W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 910mOhm @ 1A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 380uA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16.5 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 285 pF @ 1000 V