IXFN30N120SK
Número de pieza:
IXFN30N120SK
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
IXYS
Descripción:
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-227B
- Paquete / Carcasa SOT-227-4, miniBLOC
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 890W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 6.5V @ 1mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 19000 pF @ 25 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 310 nC @ 10 V