IXFP34N65X2W
Número de pieza:
IXFP34N65X2W
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
IXYS
Descripción:
650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 40W (Tc)
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 34A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 1.5mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 17A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3230 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220-3 (IXFP)