IXSA40N120L2-7TR
Número de pieza:
IXSA40N120L2-7TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
IXYS
Descripción:
1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 41A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Disipación de Potencia (Máx.) 250W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 5mA
- Vgs (Máx.) 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 53 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1214 pF @ 800 V