IXSA80N120L2-7TR
Número de pieza:
IXSA80N120L2-7TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
IXYS
Descripción:
1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 79A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 395W (Tc)
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 12mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 135 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3000 pF @ 800 V