IXSJ25N120R1
Número de pieza:
IXSJ25N120R1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
IXYS
Descripción:
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +21V, -4V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 81mOhm @ 12A, 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete ISO247-3L
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.8V @ 5.3mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 52 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1435 pF @ 800 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 75.3W (Tc)