JAN2N7334
Número de pieza:
JAN2N7334
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Paquete / Carcasa 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Military
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1A
- Potencia - Máx 1.4W
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 60nC @ 10V
- Configuración 4 N-Channel
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 10V
- Calificación MIL-PRF-19500/597
- Proveedor Dispositivo Paquete MO-036AB