LN100LA-G
Número de pieza:
LN100LA-G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 6LFGA
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Potencia - Máx 350mW
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 50pF @ 25V
- Temperatura de Operación -25°C ~ 125°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Paquete / Carcasa 6-VFLGA
- Configuración 2 N-Channel (Cascoded)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.6V @ 10µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-LFGA (3x3)