MCQ12N03HE3-TP
Número de pieza:
MCQ12N03HE3-TP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
POWER MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 12A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.9W (Tj)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 978 pF @ 25 V