MSC040SMA120SDT/R
Número de pieza:
MSC040SMA120SDT/R
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 68A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-268
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 338W (Tc)
- Vgs (Máx.) +23V, -10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.7V @ 2mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 137 nC @ 20 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V, 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1962 pF @ 1000 V