MSC080SMA120SDT/R
Número de pieza:
MSC080SMA120SDT/R
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 1mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Disipación de Potencia (Máx.) 182W (Tc)
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Máx.) +23V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 64 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 838 pF @ 1000 V