MSC180SMA120SDT/R
Número de pieza:
MSC180SMA120SDT/R
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 21A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 146W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 500µA
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 225mOhm @ 8A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 20 V
- Vgs (Máx.) +23V, -10V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V, 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 481 pF @ 1.2 kV