MSC360SMA120SCT/R
Número de pieza:
MSC360SMA120SCT/R
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM PSMT
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 71W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 21 nC @ 20 V
- Vgs (Máx.) +23V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5A, 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 255 pF @ 1000 V
- Paquete / Carcasa 16-PowerSOP Module
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.14V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 16-PSMT