MSCM20XM10T3XG
Número de pieza:
MSCM20XM10T3XG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
- Temperatura de Operación -40°C ~ 125°C (TC)
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 200V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 108A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 161nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10700pF @ 50V
- Potencia - Máx 341W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3X