MSCSM120HRM311AG
Número de pieza:
MSCSM120HRM311AG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Configuración 4 N-Channel (Three Level Inverter)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV), 700V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 89A (Tc), 124A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 232nC @ 20V, 215nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
- Potencia - Máx 395W (Tc), 365W (Tc)