MSCSM120X10CTYZBNMG
Número de pieza:
MSCSM120X10CTYZBNMG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa Module
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc), 49A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 64nC @ 20V, 137nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
- Potencia - Máx 116W (Tc), 196W (Tc)