MSCSM170HRM11NG
Número de pieza:
MSCSM170HRM11NG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 226A
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Configuración 4 N-Channel (Three Level Inverter)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 226A (Tc), 163A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 712nC @ 20V, 464nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
- Potencia - Máx 1.012kW (Tc), 662W (Tc)