MT3S111P(TE12L,F)
Número de pieza:
MT3S111P(TE12L,F)
Clasificación de productos:
Transistores bipolares de RF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de Transistor NPN
- Paquete / Carcasa TO-243AA
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
- Potencia - Máx 1W
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 6V
- Frecuencia - Transición 8GHz
- Ganancia 10.5dB
- Proveedor Dispositivo Paquete PW-MINI
- Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
- Figura de Ruido (dB Típ. @ f) 1.25dB @ 1GHz