MT3S113P(TE12L,F)
Número de pieza:
MT3S113P(TE12L,F)
Clasificación de productos:
Transistores bipolares de RF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de Transistor NPN
- Paquete / Carcasa TO-243AA
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
- Ganancia 10.5dB
- Potencia - Máx 1.6W
- Proveedor Dispositivo Paquete PW-MINI
- Figura de Ruido (dB Típ. @ f) 1.45dB @ 1GHz
- Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 5.3V
- Frecuencia - Transición 7.7GHz