MTBV30P06VT4G
Número de pieza:
MTBV30P06VT4G
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
POWER MOSFET -60V -30A 80 MOHM S
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 125W (Tc)
- Vgs (Máx.) ±15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2190 pF @ 10 V