MXP120A045FE-T1GE3
Número de pieza:
MXP120A045FE-T1GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
SIC MOSFET
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de Montaje -
- Paquete / Carcasa -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 49A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Disipación de Potencia (Máx.) 212W (Tc)
- Vgs (Máx.) +22V, -10V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V, 20V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.38V @ 5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 75.6 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1958 pF @ 800 V