NC1M120C35HTNG
Número de pieza:
NC1M120C35HTNG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
NextGen Components
Descripción:
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 75A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4L
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1.2 kV
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 33.3A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 15mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 190 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2834 pF @ 1 kV
- Disipación de Potencia (Máx.) 386W (Ta)