NDS9952A-F011
Número de pieza:
NDS9952A-F011
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 320pF @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.9A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V
- Potencia - Máx 900mW (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 27nC @ 10V, 5nC @ 10V