NP29N06QDK-E1-AY

NP29N06QDK-E1-AY

Número de pieza: NP29N06QDK-E1-AY
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Ta)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24nC @ 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 15A, 10V
  • Temperatura de Operación 175°C
  • Paquete / Carcasa 8-PowerLDFN
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1500pF @ 25V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSON (5x5.4)
  • Potencia - Máx 1W (Ta), 44W (Tc)