NTB5860NLT4G
Número de pieza:
NTB5860NLT4G
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
POWER MOSFET 60V 169A 3.0 MOHM S
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 220 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 283W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 220A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13216 pF @ 25 V