NTBG032N065M3S
Número de pieza:
NTBG032N065M3S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Disipación de Potencia (Máx.) 200W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 52A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK-7
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 55 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 7.5mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1409 pF @ 400 V