NTBL023N065M3S
Número de pieza:
NTBL023N065M3S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 77A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 312W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 10mA
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HPSOF
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1950 pF @ 400 V
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 69 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 32.6mOhm @ 20A, 18V