NTBL060N065SC1
Número de pieza:
NTBL060N065SC1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Disipación de Potencia (Máx.) 170W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 46A (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HPSOF
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 6.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 74 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1473 pF @ 325 V