NTH4L013N120M3S
Número de pieza:
NTH4L013N120M3S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 151A (Tc)
- Vgs (Máx.) +22V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 75A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.4V @ 37mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 254 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5813 pF @ 800 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 682W (Tc)