NTH4L032N065M3S
Número de pieza:
NTH4L032N065M3S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 187W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1410 pF @ 400 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 55 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 7.5mA